--- 產品參數 ---
- 高飽和輸出功率 26 dBm(24% PAE)
- 高增益 24 dB(典型值)
- 高輸出IP3 36 dBm(典型值)
- 高輸出P1dB 25.5 dBm
- 裸片尺寸 2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm
--- 產品詳情 ---
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HMC1082CHIP是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)驅動放大器,工作頻率范圍為5.5 GHz至18 GHz。HMC1082CHIP提供24 dB典型增益、36 dBm輸出IP3和25.5 dBm輸出功率(1 dB壓縮),功耗僅為220 mA(采用5 V電源電壓)。飽和輸出功率(PSAT)為26 dBm,功率附加效率(PAE)為24%。
HMC1082CHIP是一款適合各種應用的理想驅動放大器,包括5.5 GHz至18 GHz的點對點無線電和航海雷達(9 GHz時)。HMC1082CHIP還可用于6 GHz至18 GHz EW和ECM應用。
應用
- 軟件定義無線電
- 電子戰(EW)
- 雷達應用
- 電子對抗(ECM)
- 高飽和輸出功率:26 dBm(24% PAE)
- 高增益:24 dB(典型值)
- 高輸出IP3:36 dBm(典型值)
- 高輸出P1dB:25.5 dBm
- 裸片尺寸:2.19 mm × 1.05 × 0.1 mm
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