--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 增益 20 dB
- 34% PAE Psat = +26 dBm
- 3.7% EVM Pout = +15 dBm
- 電源電壓 +3 V
--- 產(chǎn)品詳情 ---

HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC功率放大器,工作頻率范圍為4.9至5.9 GHz。 該放大器采用低成本、無鉛表面貼裝封裝,帶有裸露基座以改善RF和散熱性能。 它采用極少的外部元件提供20 dB增益,飽和功率為+26 dBm(34% PAE時),電源電壓為+3V。 Vpd可用于全省電模式或RF輸出功率/電流控制。 對于+15 dBm OFDM輸出功率(64 QAM,54 Mbps),HMC415LP3(E)可實現(xiàn)3.7%的誤差矢量幅度(EVM),從而滿足802.11a線性度要求。
應(yīng)用
- 802.11a WLAN
- HiperLAN WLAN
- 接入點
- UNII和ISM無線電
- 增益: 20 dB
- 34% PAE (Psat = +26 dBm)
- 3.7% EVM (Pout = +15 dBm)
- 具有54 Mbps OFDM信號
- 電源電壓: +3 V
- 省電功能
- 外部器件數(shù)量少
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