S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器  1.8 V帶CMOS I/O的單電源  具有多I/O的串行外圍接口

S25FS128SDSNFI100，MirrorBit?閃存非易失性存儲器  1.8 V帶CMOS I/O的單電源  具有多I/O的串行外圍接口

特征

? 密集

–128 Mbits（16 Mbytes）

–256 Mbits（32 Mbytes）

? 串行外圍接口（SPI）

–SPI時鐘極性和相位模式0和3

–雙倍數據速率（DDR）選項

–擴展尋址：24位或32位地址選項

–串行命令子集和封裝與S25FL-A兼容，

S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列

–多I/O命令子集和封裝與S25FL-P兼容，

和S25FL-S SPI系列

? 閱讀

–命令：正常、快速、雙I/O、四I/O、DDR四I/O

–模式：突發包裹、連續（XIP）、QPI

–串行閃存可發現參數（SFDP）和通用閃存

接口（CFI），用于配置信息

? 程序

–256或512字節頁面編程緩沖區

–程序暫停和恢復

? 擦除

–混合行業選項

–八個4千字節扇區和一個32千字節扇區的物理集合

地址空間的頂部或底部以及

64千字節

–統一扇區選項

–統一64 kbyte或256 kbyte塊，以實現軟件兼容性

具有更高的密度和未來的設備

–擦除掛起并恢復

–擦除狀態評估

–任何扇區上至少100000個程序擦除周期

–20年數據保留，典型

? 安全功能

–1024字節的一次性程序（OTP）陣列

–塊保護：

–狀態寄存器位，用于控制對程序或

擦除連續的扇區范圍

–硬件和軟件控制選項

–高級行業保護（ASP）

–由引導代碼或密碼控制的單個扇區保護

–讀取訪問的密碼控制選項

? 技術

–跨度65 nm MirrorBit技術與Eclipse? 建筑學

? 電源電壓

–1.7V至2.0V

? 溫度范圍

–工業（0°C至+85°C）

–汽車（-40°C至+105°C）

? 包裝（所有無鉛）

–8導聯SOIC 208 mil（SOC008）-僅限FS128S

–WSON 6x5 mm（WND008）-僅限FS128S

–WSON 6x8 mm（WNH008）-僅限FS256S

–16引線SOIC 300 mil（僅限SO3016-FS256S）

–BGA-24 6x8毫米

–5x5球（FAB024）占地面積

–4x6球（FAC024）占地面積