MAVR-000120-14110G

GaAs超突變

MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。

GaAs超突變

MACOM 的 MAVR-000120-1411 是一種砷化鎵倒裝芯片超突變變容二極管。該器件是在 OMCVD 外延晶圓上制造的，采用專為實現高器件均勻性和極低寄生效應而設計的工藝。該二極管已用氮化硅完全鈍化，并具有額外的聚酰亞胺層以防止劃傷。保護涂層可防止在自動或手動處理過程中損壞接頭。倒裝芯片配置適用于拾取和放置插入。

特征

• 過去 70GHz 可用
• 可以用焊料或導電環氧樹脂安裝
• 可承受 500 次溫度循環（-65 攝氏度至 +150 攝氏度），使用 96.5Sn/3.5Ag 焊料安裝，無機械退化
• 提供袖珍卷帶包裝
• 無鉛（符合 RoHs 標準）
• 表面貼裝配置
• 聚酰亞胺劃痕保護
• 氮化硅鈍化
• 高Q值
• 低寄生電容
• 用于線性調諧的恒定伽瑪

產品規格

零件號

MAVR-000120-14110G

描述

GaAs超突變

伽馬

1.00

總電容(pF)

0.350

品質因數 @ 50 MHz，最小值

3000

擊穿電壓(V)

20

包裹

倒裝芯片芯片

包裹類別

可焊表面貼裝芯片

MAVR-001230-12790T        MAVR-000250-0287FT         MAVR-000250-11410T

MAVR-000403-0287AT        MAVR-000120-14110P         MA144769-287T

MAVR-000250-0287AT        MAVR-000250-12790T         MAVR-000250-1146AT

MAVR-000250-1146FT        MAVR-044767-0287AT         MAVR-000120-14110G

MAVR-044769-0287FT        MAVR-044769-12790T         MAVR-044767-12790T

MGV125-20                 MGV125-09                   MGV100-24-0805-2

MGV100-20-H20             MGV100-23-E28 / 28 X         MGV075-16-P55