--- 產品參數 ---
- 轉換增益 12.5 dB
- 鏡像抑制 28 dBc
- 噪聲系數 5 dB
- P1dB -9 dBm
- IP3 -1 dBm
--- 產品詳情 ---
![](https://file.elecfans.com/web2/M00/91/E8/poYBAGPvEcOAeRLeAACIG9k-jmw192.png)
HMC7586是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)下變頻器芯片,工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC7586在整個頻段內提供12.5 dB小信號轉換增益和28 dBc鏡像抑制性能。 該器件采用低噪聲放大器,后接由6倍倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。
該鏡像抑制混頻器使得低噪聲放大器之后無需使用濾波器。 可針對直接變頻應用提供差分I和Q混頻器輸出。 或者,可利用外部90°混合型器件和兩個外部180°混合型器件將輸出合并,以實現單邊帶應用。 所有數據包括IF端口上1 mil金線焊的效應。
應用
- E頻段通信系統
- 高容量無線回程
- 測試與測量
- 轉換增益: 12.5 dB(典型值)
- 鏡像抑制: 28 dBc(典型值)
- 噪聲系數: 5 dB(典型值)
- 針對1 dB壓縮(P1dB)的輸入功率: -9 dBm(典型值)
- 輸出三階交調截點(IP3): -1 dBm(典型值)
- 輸出二階交調截點(IP2): 20 dBm(典型值)
- RFIN上6倍本振(LO)泄漏: -40 dBm(典型值)
- IFOUT上1倍LO泄漏: -50 dBm(典型值)
- 射頻(RF)回波損耗: 5 dB(典型值)
- LO回損: 20 dB(典型值)
- 裸片尺寸: 3.599 mm × 2.199 mm × 0.05 mm
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