MMDB35-0402
硅階躍恢復(fù)二極管
與封裝或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二極管具有低電容、非常快的轉(zhuǎn)換時(shí)間和低電感以及低寄生電容。快速轉(zhuǎn)換時(shí)間使這些器件可用于 40 GHz 及更高頻率的快速采樣?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器、倍頻器和梳狀發(fā)生器。
硅階躍恢復(fù)二極管
與封裝或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二極管具有低電容、非常快的轉(zhuǎn)換時(shí)間和低電感以及低寄生電容。快速轉(zhuǎn)換時(shí)間使這些器件可用于 40 GHz 及更高頻率的快速采樣?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器、倍頻器和梳狀發(fā)生器。
特征
- 低電感
- 50 個(gè)系統(tǒng)中的轉(zhuǎn)換時(shí)間降至 30 皮秒
- 堅(jiān)固的梁引線結(jié)構(gòu)
- 氧化物和聚酰亞胺鈍化
產(chǎn)品規(guī)格
零件號(hào)
MMDB35-0402
描述
硅階躍恢復(fù)二極管
壽命(ns)
4個(gè)
反向電壓，最小值 (V)
16
Tt(pS)
0
總電容最小值 (pF)(pF)
0.20
總電容最大值 (pF)(pF)
0.30
包裹
402
包裹類別
表面貼裝
