MMDB30-0402
硅階躍恢復二極管
與封裝或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二極管具有低電容、非常快的轉換時間和低電感以及低寄生電容。快速轉換時間使這些器件可用于 40 GHz 及更高頻率的快速采樣柵極驅動器、倍頻器和梳狀發生器。
硅階躍恢復二極管
與封裝或芯片器件相比，Silicon Mesa Beam Lead Step Recovery 二極管具有低電容、非常快的轉換時間和低電感以及低寄生電容。快速轉換時間使這些器件可用于 40 GHz 及更高頻率的快速采樣柵極驅動器、倍頻器和梳狀發生器。
特征
- 低電感
- 50 個系統中的轉換時間降至 30 皮秒
- 堅固的梁引線結構
- 氧化物和聚酰亞胺鈍化
產品規格
零件號
MMDB30-0402
描述
硅階躍恢復二極管
壽命(ns)
4個
反向電壓，最小值 (V)
14
Tt(pS)
0
總電容最小值 (pF)(pF)
0.30
總電容最大值 (pF)(pF)
0.30
包裹
402
包裹類別
表面貼裝
