--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 標稱電阻 25 kΩ、250 kΩ
- 低溫度系數(shù) 35 ppm/°C
- 單電源 2.7 V至5 V
- 雙電源 ±2.5 V
- 溫度范圍 -40℃至+125°C
--- 產(chǎn)品詳情 ---

AD5235是一款雙通道非易失性存儲器1、數(shù)控電位計2,擁有1024階躍分辨率,保證最大低電阻容差誤差為±8%。該器件可實現(xiàn)與機械電位計相同的電子調(diào)整功能,而且具有增強的分辨率、固態(tài)可靠性和出色的低溫度系數(shù)性能。通過SPI?-兼容串行接口,AD5235具有靈活的編程能力,支持多達16種工作模式和調(diào)節(jié)模式,其中包括暫存編程、存儲器存儲和恢復(fù)、遞增/遞減、±6 dB/階躍對數(shù)抽頭調(diào)整和游標設(shè)置回讀,同時提供額外的EEMEM1 ,用于存儲用戶定義信息,如其他元件的存儲器數(shù)據(jù)、查找表、系統(tǒng)標識信息等。
在暫存編程模式下,可以直接將具體設(shè)置編程至RDAC2 寄存器,使其設(shè)置W端與A端以及W端與B端之間的電阻。該設(shè)置信息可以存儲于EEMEM之中,系統(tǒng)加電時會自動恢復(fù)至RDAC寄存器。
EEMEM內(nèi)容可以動態(tài)恢復(fù),也可通過外部PR/選通恢復(fù);EEMEM中的內(nèi)容由一個WP/函數(shù)加以保護。為了簡化編程,可以利用獨立或同步線性步進遞增或遞減命令來上下移動RDAC游標,一次一步。對于游標設(shè)置中的對數(shù)±6 dB變化,可以利用左/右位移命令來倍增或減半RDAC游標設(shè)置。
AD5235模式化電阻容差存儲于EEMEM之中。因此,在回讀模式下,主機處理器可得知實際端到端電阻。主機可以通過軟件程序執(zhí)行適當?shù)碾娮璨竭M,這樣可以簡化開環(huán)應(yīng)用以及精密校準和容差匹配應(yīng)用。
AD5235采用薄型16引腳TSSOP封裝。保證工作溫度范圍為?40°C至+85°C擴展工業(yè)溫度范圍。
1 術(shù)語“非易失性存儲器”和EEMEM可互換使用。
2數(shù)字電位計和RDAC這些術(shù)語可以互換使用。
應(yīng)用
- DWDM激光二極管驅(qū)動器,光學監(jiān)控系統(tǒng)
- 機械電位計的替代產(chǎn)品
- 儀器儀表:增益、失調(diào)電壓調(diào)整
- 可編程電壓至電流轉(zhuǎn)換
- 可編程濾波器、延遲、時間常數(shù)
- 可編程電源
- 低分辨率DAC的替代產(chǎn)品
- 傳感器校準
- 雙通道、1024位分辨率
- 標稱電阻:25 kΩ、250 kΩ
- 標稱電阻容差誤差:±8%(最大值)
- 低溫度系數(shù):35 ppm/°C
- 2.7 V至5 V單電源或±2.5 V雙電源
- SPI兼容型串行接口
- 非易失性存儲器存儲游標設(shè)置
- 加電刷新EEMEM設(shè)置
- 存儲器寫保護
- 電阻容差儲存于EEMEM中
- 26字節(jié)額外非易失性存儲器,用于存儲用戶定義信息
- 1M編程周期
- 典型數(shù)據(jù)保留期:100年
- 溫度范圍:
-40℃至+125°C - 受控制造基線
- 一個裝配/測試廠
- 一個制造廠
- 增強型產(chǎn)品變更通知
- 認證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
- V62/11605 DSCC圖紙?zhí)?/li>
MAX5472
MAX5474
MAX5475
AD5263
AD5160
AD5161
AD5245
DS3930
DS3904
AD5273
AD5280
AD5282
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MAX5439
DS3903
AD5235
DS1804
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