NPT25100B

GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

NPT25100 硅基 GaN HEMT D 型放大器針對 2.1 - 2.7 GHz 運行進行了優化。該器件支持 CW、脈沖和線性操作，輸出功率水平高達 125 W，采用帶螺栓固定法蘭的行業標準塑料封裝。

特征

• 高可靠性鍍金工藝
• 熱增強行業標準封裝
• 100% 射頻測試
• 可在高達 32V 的電壓下運行
• 10W 線性功率 @ 2.0% EVM，用于單載波 OFDM，10.3dB 峰值/平均值，10MHz 信道帶寬，16.5dB 增益，26% 效率
• 90W P3dB 連續波功率
• 125W P3dB 峰包功率
• 符合 RoHS 標準

產品規格

零件號

NPT25100B

描述

GaN 放大器 28 V，125 W，2.1 - 2.7 GHz

最小頻率(MHz)

2100

最大頻率(MHz)

2700

電源電壓(V)

28

PSAT(W)

125.0

增益（分貝）

16.5

效率

26

測試頻率(GHz)

2.50

包裹

法蘭陶瓷包

包裹類別

陶瓷制品

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