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QPD2025D 分立式 GaAs 芯片

型號: QPD2025D

--- 產品參數 ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 20,000
  • 增益(分貝) 14
  • OP1dB (dBm 24
  • 飽和度(dBm) 24
  • 噪聲系數(分貝) 0.9
  • PAE (%) 58
  • 電壓(伏) 8個
  • Idq (毫安) 40
  • 包裝(毫米) 0.41 x 0.34 x 0.10

--- 產品詳情 ---

QPD2025D

產品簡介
Qorvo 的 QPD2025D 是一款分立式 250 微米 pHEMT,工作頻率范圍為直流至 20 GHz。QPD2025D 采用 Qorvo 經驗證的標準 0.25um 功率 pHEMT 生產工藝設計。該工藝采用先進技術,可在高漏極偏壓工作條件下優(yōu)化微波功率和效率。QPD2025D 通常在 P1dB 時提供 24dBm 的輸出功率,在 1dB 壓縮時具有 14dB 的增益和 58% 的功率附加效率。這種性能使 QPD2025D 適合高效應用。帶有氮化硅的保護涂層提供了一定程度的環(huán)境穩(wěn)健性和防刮擦保護。

 

產品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 20,000
增益(分貝) 14
OP1dB (dBm) 24
飽和度(dBm) 24
噪聲系數(分貝) 0.9
PAE (%) 58
電壓(伏) 8個
Idq (毫安) 40
包裝(毫米) 0.41 x 0.34 x 0.10

 

主要特征
頻率范圍:DC - 20 GHz
典型輸出功率 P1dB:24 dBm
12 GHz 時的典型增益:14 dB
12 GHz 時的典型 PAE:58%
12 GHz 時的典型 NF:0.9 dB
無過孔
技術:0.25 um GaAs pHEMT
芯片尺寸:0.41 x 0.34 x 0.10 毫米

 

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