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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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T1G4020036-FS 射頻功率晶體管

型號： T1G4020036-FS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 3,500
  • 增益（分貝） 18.1
  • 飽和度(dBm) 2×53.0
  • 排水效率(%) 67.6
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 520
  • 包裝類型 NI-650

--- 產(chǎn)品詳情 ---

T1G4020036-FS

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 T1G4020036-FS 是一款 2 x 200 W (P3dB) 寬帶輸入預匹配分立式 GaN on SiC HEMT，可在直流至 3.5 GHz 和 50V 電源軌范圍內(nèi)工作。該器件采用 Qorvo 經(jīng)過驗證的 TQGaN25HV 工藝構(gòu)建，該工藝采用先進的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言，這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 3,500
增益（分貝） 18.1
飽和度(dBm) 2×53.0
排水效率(%) 67.6
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 520
包裝類型 NI-650

 

主要特征
頻率：直流 - 3.5 GHz
輸出功率（P 3dB）1：200W
線性增益1：18.1dB
典型 PAE 3dB 1 : 67.6%
工作電壓：50V
CW 和脈沖能力
注：1：@2.8 GHz 負載牽引（器件的一半）

 

相關(guān)型號
QPD9300
T1G4020036-FL
T1G4020036-FS
T2G4005528-FS
T2G6000528-Q3
T2G6001528-Q3
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T2G6003028-FL
T2G6003028-FS
TGF2023-2-01
TGF2023-2-02
TGF2023-2-05
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TGF2819-FL
TGF2819-FS
TGF2929-FL
TGF2929-HM

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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