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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

7k 內(nèi)容數(shù) 69w+ 瀏覽量 91 粉絲

TGF2819-FS 射頻功率晶體管

型號： TGF2819-FS

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 最低頻率(MHz) 直流電
  • 最大頻率(MHz) 4,000
  • 增益（分貝） > 14
  • 飽和度(dBm) 51
  • 電壓（伏） 50
  • Idq （毫安） 250
  • 包裝類型 NI-360

--- 產(chǎn)品詳情 ---

TGF2819-FS

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的  TGF2819-FS 是一款峰值功率大于 200 W（平均 40 W）(P3dB) 的 SiC HEMT 分立式 GaN，工作頻率范圍為 DC 至 4.0 GHz。該器件采用 Qorvo 經(jīng)過驗(yàn)證的 TQGaN25HV 工藝構(gòu)建，該工藝采用先進(jìn)的場板技術(shù)，可在高漏極偏置工作條件下優(yōu)化功率和效率。就更少的放大器陣容和更低的熱管理成本而言，這種優(yōu)化可能會降低系統(tǒng)成本。

 

產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 直流電
最大頻率(MHz) 4,000
增益（分貝） > 14
飽和度(dBm) 51
電壓（伏） 50
Idq （毫安） 250
包裝類型 NI-360

 

主要特征
頻率范圍：DC - 4 GHz
輸出功率 (P 3dB ) 1 : 257 W
線性增益1 : 18 dB
典型 PAE 3dB 1 : > 67.5%
工作電壓：50V
CW 和脈沖能力
注 1：@ 3 GHz 負(fù)載牽引

 

相關(guān)型號
QPD9300
T1G4020036-FL
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T2G4005528-FS
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