Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，與推薦的 RC 緩沖器一起使用時(shí)非常適合開關(guān)電感負(fù)載，以及任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。
主要特征
- 導(dǎo)通電阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
- 最高工作溫度：175 °C
- 優(yōu)秀的反向恢復(fù)
- 低柵極電荷
- 低本征電容
- ESD 保護(hù)，HBM 2 級(jí)
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 42 |
內(nèi)徑最大值(A) | 41 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質(zhì) | 是的 |
包裝類型 | D2PAK-3L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
UF3C065040K3S
UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
UF3C065080K3S
UF3C065080K4S
UF3C065080T3S
UF3C120040K3S
UF3C120040K4S
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
UF3C120080K4S
UF3C120150B7S
UF3C120150K4S
UF3C120400B7S
UF3C120400K3S
UF3C170400B7S
UF3C170400K3S
UF3SC065007K4S
UF3SC065030B7S
UF3SC065040B7S
UF3SC120009K4S
UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
UF4C120053K3S
UF4C120053K4S
UF4C120070K3S
UF4C120070K4S
UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
UJ3C065030B3
UJ3C065030K3S
UJ3C065030T3S
UJ3C065080B3
