Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性，非常適合開關電感負載以及任何需要標準柵極驅動的應用。
主要特征
- 導通電阻 (RDS(on))：42 mohm（典型值）
- 最高工作溫度：175 °C
- 出色的反向恢復：Qrr = 185 nC
- 低體二極管 VFSD：1.5 V
- 低柵極電荷：QG = 43 nC
- 閾值電壓 VG(th)：5 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅動
VDS 最大值(V) | 650 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 42 |
內徑最大值(A) | 43 |
一代 | 第 3 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質 | 不 |
包裝類型 | D2PAK-7L |
UF3C065030B3
UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
UF3C065040B3
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UF3C065040K4S
UF3C065040T3S
UF3C065080B3
UF3C065080B7S
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UF3C065080K4S
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UF3SC065040B7S
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UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
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UF4SC120030K4S
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