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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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UF3C065080T3S 柵極驅動 SiC 器件

型號： UF3C065080T3S

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • VDS 最大值(V) 650
  • RDS(on) 80
  • 內(nèi)徑最大值(A) 31
  • 一代 第 3 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽車資質 是的
  • 包裝類型 TO-220-3L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

UF3C065080T3S

產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復特性。這些器件采用 TO-220-3L 封裝，與推薦的 RC 緩沖器一起使用時非常適合開關電感負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 80
內(nèi)徑最大值(A) 31
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 是的
包裝類型 TO-220-3L

 

主要特征
導通電阻 (RDS(on))：80 mohm（典型值）
最高工作溫度：175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護，HBM 2 級

 

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