Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和卓越的反向恢復特性，非常適合開關電感負載和任何需要標準柵極驅動的應用。
主要特征
- 導通電阻 (RDS(on))：58 mohm（典型值）
- 最高工作溫度：175 °C
- 出色的反向恢復：Qrr = 70 nC
- 低體二極管 VFSD：1.31 V
- 低柵極電荷：QG = 37.8 nC
- 閾值電壓 VG(th)：4.8 V（典型值）允許 0 至 15 V 驅動
VDS 最大值(V) | 750 |
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) | 58 |
內徑最大值(A) | 25.8 |
一代 | 第 4 代 |
Tj 最大值(°C) | 175 |
汽車資質 | 是的 |
包裝類型 | D2PAK-7L |
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UF3C065030K3S
UF3C065030K4S
UF3C065030T3S
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UF3C065080B7S
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UF3SC065040B7S
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UF3SC120016K3S
UF3SC120016K4S
UF3SC120040B7S
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UF4SC120023K4S
UF4SC120030K4S
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