--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 寬 VIN 范圍 2.75V 至 9.8V
- 低壓差操作 100% 占空比
- 封裝 QFN 和 SSOP
--- 產(chǎn)品詳情 ---

LTC?3776 是一款面向 DDR/QDR 存儲器終端應(yīng)用的兩相、雙輸出同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓控制器。第二個控制器負責將其輸出電壓調(diào)節(jié)至 1/2 VREF,并提供了對稱的輸出電壓供應(yīng)和吸收能力。
無檢測電阻器 (No RSENSE) 型恒定頻率電流模式架構(gòu)免除了增設(shè)檢測電阻器的需要,并改善了效率。通過使兩個控制器異相工作,較大限度地降低了由輸入電容的 ESR 所引起的功耗和噪聲。
開關(guān)頻率可被設(shè)置為高達 750kHz,因而允許使用小的表面貼裝型電感器和電容器。對于那些對噪聲敏感的應(yīng)用,可以從外部對 LTC3776 的開關(guān)頻率進行同步處理 (同步范圍為 250kHz 至 850kHz),也可啟用擴頻操作。強制連續(xù)操作可降低噪聲和 RF 干擾。在內(nèi)部提供了 VOUT1 的軟起動周期,并可采用一個外部電容器來延長該周期。
LTC3776 采用纖巧的耐熱增強型 (4mm x 4mm) QFN 封裝或 24 引腳SSOP 窄體封裝。
應(yīng)用
- DDR、DDR II 和 QDR 存儲器
- SSTL、HSTL 終端電源
- 服務(wù)器、RAID 系統(tǒng)
- 分布式 DC 電源系統(tǒng)
- 無需電流檢測電阻器
- 異相控制器減小了所需的輸入電容
- VOUT2 跟蹤 1/2 VREF
- 對稱的輸出電流供應(yīng)/吸收能力 (VOUT2)
- 擴頻操作 (當被使能時)
- 寬 VIN 范圍:2.75V 至 9.8V
- 恒定頻率電流模式操作
- 0.6V±1.5% 電壓基準 (VOUT1)
- 低壓差操作:100% 占空比
- 用于頻率鎖定或調(diào)節(jié)的真正 PLL
- 內(nèi)部軟起動電路
- 電源良好輸出電壓監(jiān)視器
- 輸出過壓保護
- 微功率停機模式:IQ = 9μA
- 纖巧型扁平(4mm x 4mm)QFN 封裝和窄體 SSOP 封裝
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