LTC?3831-1 是一款專為 DDR 存儲(chǔ)器終端而設(shè)計(jì)的高功率、高效率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器。LTC3831-1 可產(chǎn)生一個(gè)等于 1/2 外部電源或基準(zhǔn)電壓的輸出電壓。LTC3831-1 采用同步開(kāi)關(guān)架構(gòu)和 N 溝道 MOSFET。此外，該芯片還可通過(guò)上端 N 溝道 FET 的漏-源極電阻來(lái)檢測(cè)輸出電流，因而能夠在無(wú)需使用電流檢測(cè)電阻器的情況下提供一個(gè)可調(diào)電流限值。
LTC3831-1 可在輸入電源電壓低至 3V 的條件下運(yùn)作，并具有一個(gè) >91% 的最大占空比。該器件包括一個(gè)固定頻率 PWM 振蕩器，用于實(shí)現(xiàn)低輸出紋波操作。300kHz 的自由運(yùn)行時(shí)鐘頻率可從外部進(jìn)行調(diào)節(jié)，或利用一個(gè)外部信號(hào)進(jìn)行同步處理 (同步范圍為 100kHz 至高于 500kHz)。在停機(jī)模式中，LTC3831-1 的電源電流降至 <10μA。
- VOUT低至 0.4V
- 用于 DDR 存儲(chǔ)器終端的高功率開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓控制器
- VOUT跟蹤 1/2 of VIN或外部VREF
- 無(wú)需電流檢測(cè)電阻器
- 低 VCC 電源：3V 至 8V
- 在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的最大占空比 >91%
- 驅(qū)動(dòng)全 N 溝道外部 MOSFET
- 高效率：達(dá) 95%
- 可編程固定頻率操作：100kHz 至 500kHz
- 外部時(shí)鐘同步操作
- 可編程軟啟動(dòng)
- 低停機(jī)電流：<10μA
- 過(guò)熱保護(hù)
- 采用 16 引腳窄體 SSOP 封裝
LTC3618
LTC3634
LTC3617
LTC3876
LTC3614
LTC3615
LTC3616
LTC3612
MAX17000A
MAX8794
MAX8632
LTC3776
LTC3831-1
MAX8550
MAX8550A
LTC3717-1
LTC3718
LTC3413
MAX1917
LTC3717
LTC3831
MAX1510
MAX17510
