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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXGD3111N7 MOSFET 控制器

型號： ZXGD3111N7

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
  • 合規(guī)性（只有汽車支持 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電源電壓 V CC 25伏
  • 漏極電壓 V D 200伏
  • 源電流I SOURC 2個
  • 灌電流 I SINK 5個
  • 關(guān)斷時間 (td2) 400 納秒
  • 關(guān)斷時間 (tf) 131納秒

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXGD3111N7

產(chǎn)品簡介 
DIODES 的 ZXGD3111N7 是一款 200V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，設(shè)計用于驅(qū)動極低 RDS(ON)功率 MOSFET 作為理想二極管。這取代了標(biāo)準(zhǔn)整流器以減少正向壓降并整體提高功率傳輸效率。
ZXGD3111N7 可用于電壓軌高達 ±200V 的高側(cè)和低側(cè)電源裝置 (PSU)。它使 RDS(ON)非常低的MOSFET 能夠作為理想二極管運行，因為關(guān)斷閾值僅為3mV，容差為 ±2mV。在典型的 48V 配置中，待機功耗為＜50mW。電流＜1mA。在PSU故障情況下，OR’ing控制器檢測到功率降低，并在<600ns以阻斷反向電流并避開公共總線電壓下降。

 

產(chǎn)品規(guī)格
符合 AEC 標(biāo)準(zhǔn) 不
合規(guī)性（只有汽車支持 PPAP） 標(biāo)準(zhǔn)
電源電壓 V CC  (V) 25伏
漏極電壓 V D  (V) 200伏
源電流I SOURCE  (A) 2個
灌電流 I SINK  (A) 5個
關(guān)斷時間 (td2) (ns) 400 納秒
關(guān)斷時間 (tf) (ns) 131納秒

 

主要特征
用于高側(cè)或低側(cè) PSU 的有源 OR-ing MOSFET 控制器
降低正向壓降的理想二極管
-3mV 典型關(guān)斷閾值，具有 ±2mV 容差
200V 漏極電壓額定值
25V V CC額定值
<50mW 待機功耗，靜態(tài)電源電流 <1mA
<600ns 關(guān)斷時間以最大限度地減少反向電流
完全無鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻。“綠色”設(shè)備

 

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