LTC7890是一款高性能、雙降壓DC/DC開關(guān)穩(wěn)壓器控制器，通過高達100 V的輸入電壓驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級。LTC7890解決了許多使用GaN FET時通常會面臨的挑戰(zhàn)。與硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)解決方案相比，LTC7890簡化了應(yīng)用設(shè)計，無需保護二極管和其他附加外部組件。
內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止BOOSTx引腳至SWx引腳高端驅(qū)動器電源在死區(qū)時間內(nèi)過度充電，從而保護頂部GaN FET的柵極。LTC7890在內(nèi)部優(yōu)化了兩個開關(guān)邊沿的柵極驅(qū)動器時序，以實現(xiàn)智能近零死區(qū)時間，從而顯著提升效率，甚至在高輸入電壓下也能實現(xiàn)高頻運行。或者，用戶可以使用外部電阻調(diào)整死區(qū)時間以進行裕量調(diào)整或定制應(yīng)用。
LTC7890的柵極驅(qū)動電壓可在4 V至5.5 V范圍內(nèi)精確調(diào)節(jié)以優(yōu)化性能，并且可使用不同的GaN FET，甚至是邏輯電平MOSFET。
應(yīng)用
- 工業(yè)電源系統(tǒng)
- 軍事航空電子和醫(yī)療系統(tǒng)
- 電信電源系統(tǒng)
- GaN驅(qū)動技術(shù)針對GaN FET進行了全面優(yōu)化
- 寬 VIN范圍：4 V至100 V
- 寬輸出電壓范圍：0.8 V ≤ VOUT ≤ 60 V
- 無需續(xù)流、箝位或自舉二極管
- 內(nèi)部智能自舉開關(guān)可防止高端驅(qū)動器電源過度充電
- 進行內(nèi)部優(yōu)化，智能近零死區(qū)時間或電阻可調(diào)死區(qū)時間
- 分離輸出柵極驅(qū)動器，以實現(xiàn)可調(diào)導(dǎo)通和關(guān)斷驅(qū)動器強度
- 精確的可調(diào)驅(qū)動器電壓和UVLO
- 低 IQ: 5 μA (48 VIN至 5 VOUT, 通道1開啟）
- 可編程頻率（100 kHz至3 MHz）
- 可同步頻率（100 kHz至3 MHz）
- 展頻(SSFM)
- 40引腳(6 mm × 6 mm)側(cè)可濕QFN封裝
LTC7890
LTC3888
MAX15157D
LTC3888-1
MAX16610A
LTC7811
LTC7883
LTC7802-3.3
LTC7891
MAX25206
LTC7803
LTC7805
LTC7871
LTC7872
LT8228
LTC7819
LTC7802
MAX16610
LTC7852
LT8550
LTC7817
LTC7818
LTC3889
LTC3372
LTC3894
LTC3883
LTC7810
LTC7815
MAX20034
