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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMC1016UPD 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC1016UPD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC1016UPD
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI5060-8 (Type C)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC1016UPD 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC1016UPD  這款新一代互補對增強模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負載開關(guān)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC1016UPD
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            PowerDI5060-8 (Type C)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No, Yes
|VDS| (V) 12, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9.5, 8.7 A
PD @TA = +25°C (W) 2.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 17, 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 25, 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) , 40 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.6, 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.5, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 18, 32 nC
CISS Typ (pF) 1454, 3103 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 15 V


主要特征
熱效率高的封裝 – 運行溫度更低的應(yīng)用
高轉(zhuǎn)換效率
低 R DS(ON) – 最大限度地減少通態(tài)損耗
低輸入電容
開關(guān)速度快
Q2 P 溝道的 ESD 保護柵極


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