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DMC1028UFDB 互補對增強模式 MOSFET 晶體管

型號： DMC1028UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMC1028UFDB
  • 名稱 互補對增強模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMC1028UFDB 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMC1028UFDB 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號            DMC1028UFDB
名稱            互補對增強模式 MOSFET
產(chǎn)地            臺灣
封裝            U-DFN2020-6 (Type B)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12, 20 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6, 3.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25, 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32, 100 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40, 140 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 10.5, 6.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.5, 11.5 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 787, 576 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 6 V


主要特征
低導通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度0.6mm
ESD HBM保護高達1.5kV，MM保護高達150V


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