--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號(hào) DMC1030UFDB
- 名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺(tái)灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMC1030UFDB 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMC1030UFDB
名稱 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12, 12 V
|VGS| (±V) 8, 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.1, 3.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.36 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 34, 59 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 40, 81 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 50, 115 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4, 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1, 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2, 13 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.1, 20.8 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 1003, 1028 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6, 6 V
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型,最大高度0.6mm
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