ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場(chǎng)效應(yīng)管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至低點(diǎn)。
與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比，XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出高達(dá)30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號(hào)產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。
應(yīng)用
- 精密數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)
- 高分辨率數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
- 醫(yī)療儀器
- 工業(yè)過(guò)程控制系統(tǒng)
- 光學(xué)控制電路
- 精密儀器
- 低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
- 無(wú)需外部電容
- 低溫度系數(shù)
- A級(jí)：10 ppm/°C（最大值）
- B級(jí)：3 ppm/°C（最大值）
- 負(fù)載調(diào)整率：15 ppm/mA
- 電壓調(diào)整率：20 ppm/V
- 寬工作溫度范圍：7.0 V至18 V
MAX6226
LT6658AH-1.2
LT6658AH-1.8
LT6658AH-2.5
LT6658AH-3
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LT6658AH-5
LT6658AI-1.2
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LT6658BI-3
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