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DMN10H099SK3 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN10H099SK3

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN10H099SK3
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 TO252

--- 產品詳情 ---

DMN10H099SK3 

產品簡介
DIODES 的 DMN10H099SK3這款新一代互補 MOSFET 具有低導通電阻和快速開關的特點,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌            DIODES
型號            DMN10H099SK3
名稱            N 溝道增強型 MOSFET
產地            臺灣
封裝            TO252


產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 17 A
PD @TA = +25°C (W) 2.45 W
PD @TC = +25°C (W) 34 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 99 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.2 nC
CISS Typ (pF) 1172 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產品


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