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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN10H6D2LFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN10H6D2LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H6D2LFDB
  • 名稱 雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H6D2LFDB

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN10H6D2LFDB這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應(yīng)用。
小型伺服電機(jī)控制
功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
切換應(yīng)用程序

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號(hào)              DMN10H6D2LFDB
名稱              雙 N 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.27 A
PD @TA = +25°C (W) 1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 1.2 nC


主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
高漏源電壓額定值
ESD 保護(hù)高達(dá) 1kV


相關(guān)型號(hào)
DMN10H6D2LFDB
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DMN13M9UCA6
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DMN15H310SK3
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DMN2004WK
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DMN2005DLP4K
DMN2005K
DMN2005LP4K
DMN2005LPK
DMN2005UFG
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DMN2008LFU
DMN2009LSS
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DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
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DMN2013UFDE
DMN2013UFDEQ
DMN2013UFX
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DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
DMN2016LFG
DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL

 

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