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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMN15H310SK3 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN15H310SK3

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN15H310SK3
  • 名稱(chēng) 150V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 TO252 (DPAK)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN15H310SK3 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的DMN15H310SK3 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn),使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN15H310SK3
名稱(chēng)               150V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               TO252 (DPAK)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 150 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 8.3 A
PD @TA = +25°C (W) 2.55 W
PD @TC = +25°C (W) 32 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 310 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 330 (@5V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.6 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.7 nC
CISS Typ (pF) 405 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低 RDS(ON) – 確保最小化狀態(tài)損耗
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
無(wú)鉛表面處理;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻。“綠色”設(shè)備
符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)


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