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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2013UFX 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2013UFX

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • DIODES DIODES
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 W-DFN5020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2013UFX 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2013UFX 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (R DS(ON) )，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號(hào)               DMN2013UFX
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               W-DFN5020-6

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10 A
PD @TA = +25°C (W) 2.14 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 11.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 32.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 57.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2607 pF

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏


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