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DMN2016LFG 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN2016LFG

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2016LFG
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 U-DFN3030-8

--- 產品詳情 ---

DMN2016LFG

產品簡介
DIODES 的DMN2016LFG這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導通電阻 (R DS(on) ),同時保持卓越的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌               DIODES
型號               DMN2016LFG
名稱               N溝道MOSFET
產地               臺灣
封裝               U-DFN3030-8

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.2 A
PD @TA = +25°C (W) 0.77 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 18 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 22 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 30 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 1472 pF

 

主要特征
低導通電阻
低柵極閾值電壓
低輸入電容
快速切換速度


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