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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN2310UFD 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2310UFD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2310UFD
  • 名稱 N溝道MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 U-DFN1212-3 (Type C)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2310UFD 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2310UFD 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。


產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2310UFD
名稱               N溝道MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               U-DFN1212-3 (Type C)


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 240 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 300 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 400 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.95 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.7 nC

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低的柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
ESD保護(hù)柵極


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