DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態、寫保護將無條件使能、防止數據被破壞。NV SRAM可以用來直接替代現有的8k x 8 SRAM，符合通用的單字節寬、28引腳DIP標準。這些器件還與2764 EPROM及2864 EEPROM的引腳排列匹配，可直接替換并增強其性能。該器件沒有寫次數限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。
- 在沒有外部電源的情況下最少可以保存數據10年
- 掉電期間數據被自動保護
- 直接替代8k x 8易失靜態RAM或EEPROM
- 沒有寫次數限制
- 低功耗CMOS操作
- JEDEC標準的28引腳DIP封裝
- 70ns的讀寫存取時間
- 第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態
- ±10% VCC工作范圍(DS1225AD)
- 可選擇±5% VCC工作范圍(DS1225AB)
- 可選的-40°C至+85°C工業級溫度范圍，指定為IND
DS1249AB
DS1249Y
DS1265AB
DS1265Y
DS1270AB
DS1270Y
DS1330AB
DS1330Y
DS1345Y
DS1220AB
DS1220AD
DS1225AB
DS1225AD
DS1230AB
DS1230W
DS1230Y
DS1245AB
DS1245W
DS1245Y
DS1250AB
DS1250W
DS1250Y
DS1330W
DS1350W
DS9034PC
DS9034PCI
