1700 V、1000 mΩ、5.3 A、TO-263-7 封裝、第 2 代分立式 SiC MOSFET
Wolfspeed 1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現更小、更高效的電源轉換系統。與基于硅的解決方案相比，Wolfspeed 碳化硅技術可提高系統功率密度、更高的開關頻率、更小的設計、更涼爽的組件、減小電感器、電容器、濾波器和放大器、變壓器等組件的尺寸，并提高總體成本效益。
特征
- 高阻斷電壓和低 RDS(on)
- 低電容高速開關
- 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯且驅動簡單
- 低寄生電感
- 漏極和源極之間的爬電距離和間隙距離較寬
好處
- 更高的系統效率
- 降低冷卻要求
- 增加功率密度
- 提高系統開關頻率
- 獨立的開爾文源極引腳可降低源極電感，并將開關損耗降低高達 30%
- 優化的封裝具有較寬的爬電距離和漏極與源極之間的間隙距離 (~8mm)，提供適合高污染環境的額外電氣隔離
應用領域
- 輔助電源
- 開關模式電源
- 電源逆變器
- 1500V太陽能逆變器
- 高壓DC-DC轉換器
- 電機驅動
- 脈沖功率應用
