1200 V、16 mΩ、112 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，這些器件針對高功率應用進行了優化，例如不間斷電源 (UPS)、電機驅動器、開關模式電源、太陽能和儲能系統、電動汽車充電、高壓 DC/DC 轉換器等。
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 MOSFET 基于最新的第三代技術，包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和更高的 CGS/CGD 比率而設計，以提高硬開關性能。軟開關應用還可以受益于更線性的 COSS 行為。
Wolfspeed 的 1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 相結合，可在要求嚴格的應用中實現更高效率的強大組合。從硅基解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于降低大多數高功率應用中的系統尺寸、重量、設計復雜性和成本。
一系列頂部和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設計者提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
特征
- 高阻斷電壓和業界領先的低 RDS(on) 溫度穩定性
- 具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
- 具有低輸出電容的高速開關
- 整個溫度范圍內的傳導損耗較低
- 雪崩堅固性
好處
- 提高系統效率并降低開關損耗
- 減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
- 增加功率密度
- 易于并聯并與標準柵極驅動設計兼容
應用領域
- 固態斷路器
- 可再生能源逆變器
- 高壓DC/DC轉換器
- 開關電源
- 不間斷電源 (UPS)
- 高性能焊接電源
- 高壓系統的輔助電源
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
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