1200 V、16 mΩ、112 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，這些器件針對(duì)高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，例如不間斷電源 (UPS)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、開(kāi)關(guān)模式電源、太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)充電、高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器等。
Wolfspeed 的 1200 V 碳化硅 MOSFET 基于最新的第三代技術(shù)，包括一系列導(dǎo)通電阻和封裝選項(xiàng)，使設(shè)計(jì)人員能夠?yàn)槠鋺?yīng)用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和更高的 CGS/CGD 比率而設(shè)計(jì)，以提高硬開(kāi)關(guān)性能。軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用還可以受益于更線性的 COSS 行為。
Wolfspeed 的 1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 相結(jié)合，可在要求嚴(yán)格的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效率的強(qiáng)大組合。從硅基解決方案轉(zhuǎn)向碳化硅所獲得的效率有助于降低大多數(shù)高功率應(yīng)用中的系統(tǒng)尺寸、重量、設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本。
一系列頂部和背面金屬化選項(xiàng)和芯片布局為模塊設(shè)計(jì)者提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
特征
- 高阻斷電壓和業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) 溫度穩(wěn)定性
- 具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
- 具有低輸出電容的高速開(kāi)關(guān)
- 整個(gè)溫度范圍內(nèi)的傳導(dǎo)損耗較低
- 雪崩堅(jiān)固性
好處
- 提高系統(tǒng)效率并降低開(kāi)關(guān)損耗
- 減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
- 增加功率密度
- 易于并聯(lián)并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)兼容
應(yīng)用領(lǐng)域
- 固態(tài)斷路器
- 可再生能源逆變器
- 高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
- 開(kāi)關(guān)電源
- 不間斷電源 (UPS)
- 高性能焊接電源
- 高壓系統(tǒng)的輔助電源
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
CPM2-1200-0040A
CPM3-1200-0075A
CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
