1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 憑借我們的首款汽車級 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 繼續在碳化硅領域保持領先地位。該產品組合完全符合汽車標準，具有高阻斷電壓和業界領先的低 R DS(ON)溫度穩定性，可在最苛刻的應用中實現低傳導損耗和最高的品質因數。這些器件針對高功率應用進行了優化，例如汽車傳動系統、電機驅動器、固態斷路器、諧振拓撲等。
Wolfspeed 的 1200 V 裸片 SiC MOSFET 基于最新的第三代技術，包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的部件。1200 V MOSFET 專為低 R DS(ON)而設計，易于并聯并與標準柵極驅動設計兼容。從硅基解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于降低系統尺寸、重量和冷卻要求。
一系列頂部和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設計者提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。
特征
- 汽車級認證
- 高阻斷電壓和業界領先的低 RDS(on) 溫度穩定性
- 抗閂鎖
- 驅動器的高柵極電阻
好處
- 通過降低開關和傳導損耗提高系統效率
- 降低系統尺寸、重量和冷卻要求
- 實現高開關頻率操作
- 易于并聯并與標準柵極驅動設計兼容
應用
- 汽車傳動系統
- 電機驅動
- 固態斷路器
- 諧振拓撲
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
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CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
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EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
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CPM2-1200-0080A
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CPM3-3300-R050A
