1200 V、1.33 mΩ、HM 高性能 62 mm、半橋 SiC 電源模塊
Wolfspeed 開發了 HM 功率模塊平臺，以在功率密度敏感的應用中發揮 SiC 的優勢，同時保持 62mm 模塊的基板兼容性。HM 平臺的 SiC 優化封裝可實現 175°C 的連續結操作，并采用高可靠性氮化硅 (Si 3 N 4 ) 功率基板來確保極端條件下的機械魯棒性，并采用輕質 AlSiC 基板。HM3 非常適合醫療電源、航空航天和牽引驅動等要求苛刻的應用。
特征
- 高性能 62 毫米占地面積
- 低電感 (4.9 nH) 設計可實現高速開關和高效率并降低損耗
- 高結溫 (175 °C) 運行
- 可用于第二代和第三代 SiC MOSFET 的配置
- 輕質 AlSiC 基板
- 氮化硅絕緣體具有強大的熱循環能力
好處
- 輕的; 緊湊的外形和 62mm 兼容底板可實現系統改造
- 提高系統效率；由于碳化硅的低開關和傳導損耗
- 高可靠性材料選擇可實現高溫運行
應用領域
- 鐵路與牽引
- 太陽能及可再生能源
- 電動汽車充電器
- 工業自動化與測試
- 醫療電源
- 電機驅動
CAB320M17XM3
CAB400M12XM3
CAB425M12XM3
CAB450M12XM3
EAB450M12XM3
CAB600M33LM3
CAB760M12HM3R
CAS380M17HM3
CAS480M12HM3
CAB500M17HM3
CAR600M17HN6
CAR600M12HN6
CAB650M17HM3
CAB760M12HM3
CCB016M12GM3
CCB016M12GM3T
CAB011A12GM3
CAB011A12GM3T
CAB008M12GM3
CAB008M12GM3T
CAB008A12GM3T
CAB008A12GM3
CAB006A12GM3
CAB006M12GM3
CAB006M12GM3T
CAB006A12GM3T
CCB021M12FM3T
CCB032M12FM3T
CBB032M12FM3T
CBB032M12FM3
CCB032M12FM3
CBB021M12FM3T
CBB021M12FM3
CCB021M12FM3
CAB016M12FM3
CAB016M12FM3T
CAB011M12FM3
CAB011M12FM3T
CAS120M12BM2
WAS175M12BM3
CAS175M12BM3
CAS300M17BM2
CAS300M12BM2
WAB300M12BM3
WAS310M17BM3
CAS310M17BM3
WAS350M12BM3
CAS350M12BM3
WAB400M12BM3
CAB530M12BM3
CAS530M12BM3
WAS530M12BM3
