該評估板的目的是演示在 7 引腳 D2PAK? 封裝中并聯兩個高性能 Wolfspeed 該評估板配置為半橋，但也可以配置為其他常見拓撲，例如同步升壓或同步降壓拓撲。該板的設計目的是讓用戶能夠輕松地：

• 評估并聯 SiC MOSFET 的動態和穩態均流
• 評估 SiC MOSFET 開關性能并表征 SiC MOSFET 中的 E ON和 E OFF損耗。
• 評估同步降壓或升壓轉換器中的 SiC MOSFET 熱性能。
• 用作有效并聯 SiC MOSFET 的 PCB 布局示例。
• 用作 D2PAK SiC MOSFET 熱管理的參考

Wolfspeed 和 Keysight Technologies, Inc. 共同為此評估板開發了 PathWave 高級設計系統 (ADS) 工作區，使設計人員能夠對設計進行仿真，包括 PCB 布局的寄生效應。該工作區演示了如何使用 ADS 平臺優化 PCB 布局，以便比傳統原型測試設計周期更快、成本更低地并聯碳化硅 MOSFET。

規格

• 最大直流母線電壓 900 V
• 額定功率 10 kW @ 60 kHz（同步升壓操作 400 V-800 V）
• 用于漏極電流、V GS和 V ds示波器探頭測量的優化位置
• 支持同步和異步降壓和升壓拓撲
• 可使用兩個評估板配置為全橋 DC/DC

• 工業電源
• 服務器/電信
• 電動汽車充電系統
• 儲能系統（ESS）
• 不間斷電源 (UPS)

包含什么

• 完全組裝的評估板
• 原理圖
• PCB設計文件
• 材料清單
• 應用說明

KIT-CRD-CIL17N-BM

KIT-CRD-CIL12N-BM

KIT-CRD-CIL12N-FMB

KIT-CRD-CIL12N-FMA

KIT-CRD-CIL12N-FMC

KIT-CRD-CIL12N-GMA

KIT-CRD-CIL17N-HM3

KIT-CRD-CIL12N-HM3

KIT-CRD-3DD12P

KIT-CRD-3DD065P

KIT-CRD-HB12N-J1

KIT-CRD-8FF90P

KIT-CRD-8FF65P

KIT-CRD-CIL17N-XM

KIT-CRD-CIL12N-XM3