該評估板演示了采用半橋拓撲配置的 7 引腳 D2PAK (TO-263-7L) 中 900 V 碳化硅 (SiC) C3M? MOSFET 的開關和熱性能。該板設計用于表征碳化硅 MOSFET 的E ON和 E OFF損耗以及穩態熱性能。PCB 在 MOSFET 下方包含 AlN 插件，以提供電氣隔離并優化至散熱器的熱傳遞。

這個設計：

• 演示如何使用 AlN 鑲嵌 PCB 進行表面貼裝功率器件的熱管理
• 作為驅動 D2PAK SiC MOSFET 的 PCB 布局示例

規格

• 最大直流母線電壓 650V
• 最大功率 4.2kW @ 100kHz
• 優化了示波器探頭測量漏極電流的位置；V GS ; 和Vds
• MOSFET 下方散熱器中的預鉆孔熱電偶位置
• 支持同步和異步降壓和升壓拓撲
• 套件包括兩個 SMA 和 BNC 適配器，用于測量 V GS波形
• 包括散熱器；扇子; 風扇護罩；和導熱墊
• 可使用兩個評估板配置為全橋 DC/DC

應用領域

• 工業電源
• 服務器/電信
• 電動汽車充電系統
• 儲能系統（ESS）
• 不間斷電源 (UPS)

包含什么

• 完全組裝的評估板
• 原理圖
• PCB設計文件
• 材料清單
• 應用說明

KIT-CRD-CIL17N-BM

KIT-CRD-CIL12N-BM

KIT-CRD-CIL12N-FMB

KIT-CRD-CIL12N-FMA

KIT-CRD-CIL12N-FMC

KIT-CRD-CIL12N-GMA

KIT-CRD-CIL17N-HM3

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KIT-CRD-HB12N-J1

KIT-CRD-8FF90P

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KIT-CRD-CIL17N-XM

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