SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 400 W；48V；3600 – 3800 兆赫
GTRA384802FC 是一款 400 瓦 (P3dB) 碳化硅基氮化鎵高電子遷移率晶體管 (HEMT)，適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用。具有輸入輸出匹配的特點(diǎn)；高效率; 以及帶無耳法蘭的耐熱增強(qiáng)型封裝。
特征
- 輸入匹配
- 非對稱Doherty設(shè)計(jì)：Main P3dB 200 W Typ；峰值 P3dB 280 W 典型值
- 典型的脈沖連續(xù)波性能；3800兆赫；48V；組合輸出；10% 占空比
- 輸出功率 400W
- 效率62%
- 增益 13 分貝
- 能夠處理 10:1 VSWR @48 V；63W（WCDMA）輸出功率
- 無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用領(lǐng)域
- 多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器
