--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最大頻率 8GHz
- 峰值輸出功率 30瓦
- 工作電壓 28V
--- 產(chǎn)品詳情 ---

30-W;8.0GHz;GaN HEMT 芯片
Wolfspeed 的 CG2H80030D 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與硅或砷化鎵相比,GaN具有更優(yōu)越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度;和更高的導(dǎo)熱率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 具有更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征
- 30 W 典型 PSAT
- 28V 運(yùn)行
- 高擊穿電壓
- 高溫操作
- 運(yùn)行頻率高達(dá) 8 GHz
- 高效率
應(yīng)用領(lǐng)域
- 2路私人廣播
- 寬帶放大器
- 蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
- 測(cè)試儀器
- A級(jí);AB; 適用于 OFDM 的線性放大器;W-CDMA;邊緣; CDMA波形
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