50-W；7.9 – 9.6 GHz；50歐姆；輸入/輸出匹配 GaN HEMT
Wolfspeed 的 CGHV96050F1 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 具有出色的功率附加效率。與硅或砷化鎵相比，GaN具有更優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝，可實現(xiàn)最佳電氣和熱性能。
特征
- 7.9 – 8.4 GHz 運(yùn)行
- 80 W POUT（典型值）
- >13 dB 功率增益
- 33% 典型線性 PAE
- 50 歐姆內(nèi)部匹配
- <0.1 dB 功率下降
應(yīng)用領(lǐng)域
- 衛(wèi)星通訊
- 地面寬帶
CMPA5585030F-AMP
CMPA5585030F
CMPA5585030D
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F1
CMPA1H1J050F-AMP
CMPA1H1J050F
CGHV50200F-AMP
CGHV50200F
