SiC HEMT 上的高功率 RF GaN 1400 W；50V；0.96 - 1.4GHz
 

GTVA101K4是一款專門設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬能力。這使得 GTVA101K4 非常適合 0.96 – 1.4 GHz 頻段的應用。該晶體管可用于從 UHF 到 1.4 GHz 的特定頻段應用。

特征

• 輸入匹配
• 典型的脈沖連續波性能；960 – 1215 兆赫；50V；單面；128μs脈沖寬度；10%占空比；P3dB = 1400 W 時的輸出功率；效率=68%；增益 = 17 分貝
• 無鉛且符合 RoHS 標準

應用領域

• 雷達放大器

PTVA030121EA-V1

PTVA120252MT-V1

PTVA120251EA-V2

PTVA120501EA-V1

PTVA123501FC-V1

PTVA123501EC-V2

PTVA104501EH-V1

PTVA035002EV-V1

GTVA126001EC-V1

GTVA126001FC-V1

GTVA107001FC-V1

GTVA107001EC-V1

PTVA127002EV-V1

GTVA107001EFC-V1

PTVA047002EV-V1

CGHV14800F1

CGHV14800F-AMP

CGHV14800F

PTVA101K02EV-V1

LTN/GTVA101K42EV-V1

GTVA101K42EV-V1