CHK8101-SYC 是一款無與倫比的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為各種射頻功率應用提供通用和寬帶解決方案。它非常適合空間和電信等多用途應用
CHK8101-SYC 采用 0.5μm 柵極長度的 GaN on SiC HEMT 工藝開發(fā)。它需要外部匹配電路。
CHK8101-SYC 采用密封陶瓷金屬法蘭電源封裝，符合 RoHs N°2011/65 和 REACH N°1907/2006 指令。
氮化鎵功率晶體管
| 參考 | 格林 (dB) @ 頻率 (GHz) | 工作頻率 （GHz） | 飽和功率 （W） | PAE (%) @ 頻率 (GHz) | 偏置 （毫安） | 偏差 (V) | 案件 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CHK8201-SYA | 22@1.3 | 最多 4 個 | 45 | 55 | 200 | 50 | 密封SMD |
CHKA011aSXA
CHK8013-99F
CHK9014-99F
CHK8015-99F
CHK8201-SYA
CHKA012a99F
CHK015AaQIA
CHKA012bSYA
CHK8101-SYC
CHK8101a99F
CHK9013-99F
