CHZ015AaQEG 是一款輸入匹配封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。
它為 L 頻段的各種射頻功率應用提供寬帶解決方案。該電路非常適合脈沖雷達應用。
CHZ015AaQEG 采用 0.5μm 柵極長度的 GaN HEMT 工藝。它基于準MMIC技術。
它采用符合 RoHS 標準的 SMD 封裝。
內部匹配的 GaN 功率晶體管
| 參考 | 射頻帶寬 (GHz) | 小信號增益 （dB） | 功率 （瓦） | 相關增益 (dB) | P-1dB 輸出 (dBm) | PAE (%) | 直流偏置 | 案件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 分鐘 | 最大限度 | ||||||||
| CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | - | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN 塑料封裝 |
CHZ180AaSEB
CHZ015AaQEG
CHZ8012-QJA
CHZ9012-QFA
