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DMN2991UFZ 20V N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN2991UFZ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN2991UFZ
  • 名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 X2-DFN0606-3

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN2991UFZ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN2991UFZ 這種MOSFET被設計為最小化導通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選用于高效電源管理應用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌               DIODES
型號               DMN2991UFZ
名稱               20V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地               臺灣
封裝               X2-DFN0606-3


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.55 A
PD @TA = +25°C (W) 0.53 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 990 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 1200 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 1800 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.35 nC
CISS Typ (pF) 21.5 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 16 V

 

主要特征
低封裝外形，最大封裝高度 0.42mm
0.62mm × 0.62mm 封裝尺寸
低導通電阻
極低柵極閾值電壓，最大值 1.0V
ESD保護柵極

 

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