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DMN3010LFG N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號: DMN3010LFG

--- 產品參數 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN3010LFG
  • 名稱 N 溝道增強型 MOSFET
  • 產地 臺灣
  • 封裝 POWERDI3333-8

--- 產品詳情 ---

DMN3010LFG 

產品簡介
DIODES 的 DMN3010LFG 這種新一代MOSFET的設計目的是將導通狀態降至最低電阻(RDS(ON))并且仍然保持優異的開關性能,使其成為高效電源管理應用的理想選擇。

 

產品規格 
品牌                DIODES
型號                DMN3010LFG
名稱                N 溝道增強型 MOSFET
產地                臺灣
封裝                POWERDI3333-8

 

產品參數
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 14 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 16.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 37 nC
CISS Typ (pF) 2075 pF

 

主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態損耗
小尺寸的熱效率封裝使
密度最終產品
僅占SO-8板面積的33%
較小的最終產品
100%UIS(雪崩)額定值
100%Rg測試

 

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