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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN31D5UDJ 雙N 溝道增強型 MOSFET 晶體管

型號： DMN31D5UDJ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMN31D5UDJ
  • 名稱 雙N 溝道增強型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 SOT963

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN31D5UDJ  

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN31D5UDJ 這種MOSFET被設(shè)計為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON））同時保持卓越的切換性能，使其成為理想之選，用于高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號                DMN31D5UDJ
名稱                雙N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地                臺灣
封裝                SOT963

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.22 A
PD @TA = +25°C (W) 0.35 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 1500 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 2000 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 3000 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.38 nC
CISS Typ (pF) 22.6 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V

 

主要特征
低導(dǎo)通電阻
極低柵極閾值電壓，最大值 1.0V
低輸入電容
開關(guān)速度快
超小型表面貼裝封裝 1mm x 1mm
ESD保護柵極

 

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