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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMP1012UFDF 12V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMP1012UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMP1012UFDF
  • 名稱 12V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6 (Type F)

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMP1012UFDF 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMP1012UFDF 該 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                DIODES
型號(hào)                DMP1012UFDF
名稱                12V P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                臺(tái)灣
封裝                U-DFN2020-6 (Type F)

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.6 A
PD @TA = +25°C (W) 2.11 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 40 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 0.9 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.5 nC
CISS Typ (pF) 1344 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積為 4mm2
低導(dǎo)通電阻
開(kāi)關(guān)速度快

 

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