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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMS2095LFDB P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMS2095LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMS2095LFDB
  • 名稱(chēng) P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMS2095LFDB 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMS2095LFDB 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMS2095LFDB
名稱(chēng)                  P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  U-DFN2020-6


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+SKY
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.4 A
PD @TA = +25°C (W) 1.64 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 150 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 7 nC


主要特征
具有低RDS（ON）的MOSFET–最大限度地減少傳導(dǎo)損耗
低柵極閾值電壓，最大-1.3V
具有低正向壓降的肖特基二極管
外形小巧，最大高度0.5mm


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