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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMS2220LFDB P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMS2220LFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 晶體管
  • 型號(hào) DMS2220LFDB
  • 名稱(chēng) P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 U-DFN3020-8Type B

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMS2220LFDB 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMS2220LFDB 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻(RDS(ON)),同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能,是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號(hào)                  DMS2220LFDB
名稱(chēng)                  P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺(tái)灣
封裝                  U-DFN3020-8Type B

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+SKY
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 3.5 A
PD @TA = +25°C (W) 1.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 95 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 120 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.3 V
CISS Typ (pF) 632 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
70mΩ @V GS = -4.5V
85mΩ @V GS = -2.5V
86mΩ(典型值)@V GS = -1.8V
低柵極閾值電壓,最大值 -1.3V
開(kāi)關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏
采用低 VF 超級(jí)勢(shì)壘整流器 (SBR?)
薄型,最大高度 0.5mm


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