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DMS3014SFGQ 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號： DMS3014SFGQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號 DMS3014SFGQ
  • 名稱 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺灣
  • 封裝 PowerDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMS3014SFGQ 

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMS3014SFGQ 這種MOSFET的設(shè)計(jì)滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌                  DIODES
型號                  DMS3014SFGQ
名稱                 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 14.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 15.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 19.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 45.7 nC
CISS Typ (pF) 2296 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
DIOFET 利用獨(dú)特的專利工藝將 MOSFET 和肖特基單片集成在單個(gè)芯片中，以提供：
- 低 RDS(ON) – 最小化傳導(dǎo)損耗
- 低 VSD – 減少體二極管傳導(dǎo)造成的損耗
- 低 QRR – 集成肖特基的較低 QRR 可減少體二極管開關(guān)損耗
- 低柵極電容 (Qg/Qgs) 比 – 降低風(fēng)險(xiǎn)高頻下的直通或交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流
小尺寸熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占用 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
100% UIS（雪崩）評級
100% Rg 測試


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DMT3003LFG
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產(chǎn)品簡介
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型號                  DMS3014SFGQ
名稱                 30V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地                  臺灣
封裝                  PowerDI?3333-8

 

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Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
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|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 9 A
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- 低 RDS(ON) – 最小化傳導(dǎo)損耗
- 低 VSD – 減少體二極管傳導(dǎo)造成的損耗
- 低 QRR – 集成肖特基的較低 QRR 可減少體二極管開關(guān)損耗
- 低柵極電容 (Qg/Qgs) 比 – 降低風(fēng)險(xiǎn)高頻下的直通或交叉?zhèn)鲗?dǎo)電流
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